SI2305CDS-T1-GE3

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MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Número da pe?a NOVA:

312-2282008-SI2305CDS-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI2305CDS-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 8 V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número do produto base	SI2305
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 8 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	8 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	960 pF @ 4 V
Dissipação de energia (máx.)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Outros nomes	SI2305CDS-T1-GE3DKR SI2305CDST1GE3 SI2305CDS-T1-GE3TR SI2305CDS-T1-GE3-ND SI2305CDS-T1-GE3CT