SIJH112E-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2279785-SIJH112E-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIJH112E-T1-GE3

Embalagem padr?o:

2,000

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 8 x 8
Número do produto base	SIJH112
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8050 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	3.3W (Ta), 333W (Tc)
Outros nomes	742-SIJH112E-T1-GE3DKR 742-SIJH112E-T1-GE3TR 742-SIJH112E-T1-GE3CT