SQ2361AEES-T1

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SQ2361AEES-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23

Número da pe?a NOVA:

312-2280910-SQ2361AEES-T1_GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SQ2361AEES-T1_GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montagem	Surface Mount
Número do produto base	SQ2361
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	620 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.)	2W (Tc)
Outros nomes	SQ2361AEES-T1_GE3DKR SQ2361AEES-T1-GE3 SQ2361AEES-T1_GE3-ND SQ2361AEES-T1_GE3TR SQ2361AEES-T1_GE3CT