FDV302P

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Número da pe?a NOVA:

312-2315672-FDV302P

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FDV302P

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 25 V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Fairchild Semiconductor
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SOT-23
Número do produto base	FDV30
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	120mA (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.31 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	-8V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	25 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11000 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	350mW (Ta)
Outros nomes	2156-FDV302P ONSFSCFDV302P