Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
IXTX120N65X2
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Número da pe?a NOVA:
312-2278464-IXTX120N65X2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTX120N65X2
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
Formato de download disponível
Por favor, preencha suas informa??es no formulário e entraremos em contato o mais breve possível e forneceremos o modelo cad.
N-Channel 650 V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PLUS247™-3 | |
| Número do produto base | IXTX120 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Ultra X2 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13600 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1250W (Tc) |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
KBPC5010-GComchip Technology
IXTK120N65X2IXYS
SC50VB160-GComchip Technology
HSC1004K7JTE Connectivity Passive Product
MSCDC50H1701AGMicrochip Technology
STY139N65M5STMicroelectronics
