IPL60R650P6SATMA1

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MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2361670-IPL60R650P6SATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPL60R650P6SATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 600 V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-ThinPak (5x6)
Número do produto base	IPL60R650
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™ P6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	6.7A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	600 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	557 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	56.8W (Tc)
Outros nomes	IPL60R650P6SATMA1DKR ROCINFIPL60R650P6SATMA1 2156-IPL60R650P6SATMA1 SP001163080 IPL60R650P6SATMA1CT IPL60R650P6SATMA1TR