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N-Channel 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220AB | |
Número do produto base | SIHP35 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | EF | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 32A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97mOhm @ 17A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 134 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
Vgs (Máx.) | ±30V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2568 pF @ 100 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) | |
Outros nomes | SIHP35N60EF-GE3DKR-ND SIHP35N60EF-GE3DKRINACTIVE SIHP35N60EF-GE3TR SIHP35N60EF-GE3CT SIHP35N60EF-GE3TR-ND SIHP35N60EF-GE3TRINACTIVE SIHP35N60EF-GE3DKR SIHP35N60EF-GE3CT-ND |
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