FDMS10C4D2N

MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2279563-FDMS10C4D2N
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDMS10C4D2N
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:

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N-Channel 100 V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricanteonsemi
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-PQFN (5x6)
Número do produto base FDMS10
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / Estojo8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.) 125W (Tc)
Outros nomesFDMS10C4D2NOSDKR
FDMS10C4D2NOSCT
FDMS10C4D2NOSTR
FDMS10C4D2N-ND

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