BSP322PH6327XTSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

Número da pe?a NOVA:

312-2263238-BSP322PH6327XTSA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSP322PH6327XTSA1

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-SOT223-4
Número do produto base	BSP322
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	SIPMOS®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 380µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16.5 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	372 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta)
Outros nomes	SP001058784 BSP322PH6327XTSA1CT BSP322PH6327XTSA1DKR BSP322PH6327XTSA1TR