TPH2R506PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Número da pe?a NOVA:
312-2280941-TPH2R506PL,L1Q
Número da pe?a do fabricante:
TPH2R506PL,L1Q
Embalagem padr?o:
5,000

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N-Channel 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

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CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-SOP Advance (5x5)
Número do produto base TPH2R506
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesU-MOSIX-H
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / Estojo8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5435 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.) 132W (Tc)
Outros nomesTPH2R506PLL1Q
TPH2R506PLL1QDKR
TPH2R506PLL1QTR
TPH2R506PL,L1Q(M
TPH2R506PLL1QCT

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