Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
SI8824EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Número da pe?a NOVA:
312-2280542-SI8824EDB-T2-E1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI8824EDB-T2-E1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
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N-Channel 20 V 2.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-Microfoot | |
| Número do produto base | SI8824 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-XFBGA, CSPBGA | |
| Vgs (Máx.) | ±5V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) | |
| Outros nomes | SI8824EDB-T2-E1DKR SI8824EDB-T2-E1TR SI8824EDB-T2-E1CT |
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