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N-Channel 1200 V 35A 182W (Tc) Surface Mount D3PAK
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | D3PAK | |
Número do produto base | MSC080 | |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Series | - | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 35A | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 20 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
Vgs (Máx.) | +23V, -10V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 838 pF @ 1000 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 182W (Tc) |
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