SI7431DP-T1-E3

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MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

Número da pe?a NOVA:

312-2298003-SI7431DP-T1-E3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI7431DP-T1-E3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 200 V 2.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8
Número do produto base	SI7431
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	174mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	200 V
Dissipação de energia (máx.)	1.9W (Ta)
Outros nomes	SI7431DP-T1-E3DKR SI7431DP-T1-E3CT SI7431DP-T1-E3TR SI7431DPT1E3