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P-Channel 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Through Hole I-PAK
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | I-PAK | |
Número do produto base | FQU11P06 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | QFET® | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 4.7A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
Vgs (Máx.) | ±30V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
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