TPWR6003PL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Número da pe?a NOVA:
312-2279580-TPWR6003PL,L1Q
Número da pe?a do fabricante:
TPWR6003PL,L1Q
Embalagem padr?o:
5,000

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N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance

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CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação 175°C
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-DSOP Advance
Número do produto base TPWR6003
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesU-MOSIX-H
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / Estojo8-PowerWDFN
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Outros nomes264-TPWR6003PLL1QTR
264-TPWR6003PLL1QCT
264-TPWR6003PLL1QDKR
TPWR6003PL,L1Q(M

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