G2R1000MT17J

SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Número da pe?a NOVA:
312-2283620-G2R1000MT17J
Número da pe?a do fabricante:
G2R1000MT17J
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:

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N-Channel 1700 V 3A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263-7

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteGeneSiC Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-263-7
Número do produto base G2R1000
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
SeriesG2R™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2mA
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Máx.)+20V, -10V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)1700 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 139 pF @ 1000 V
Dissipação de energia (máx.) 54W (Tc)
Outros nomes1242-G2R1000MT17J

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