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Forro
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STD120N4LF6
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2273301-STD120N4LF6
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STD120N4LF6
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
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N-Channel 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK | |
| Número do produto base | STD120 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 110W (Tc) | |
| Outros nomes | -497-11097-6 497-11097-1 -497-11097-2 -497-11097-1 497-11097-6 497-11097-2 |
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