SI7846DP-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Número da pe?a NOVA:

312-2274105-SI7846DP-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI7846DP-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 150 V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8
Número do produto base	SI7846
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	150 V
Dissipação de energia (máx.)	1.9W (Ta)
Outros nomes	SI7846DP-T1-GE3-ND SI7846DP-T1-GE3TR SI7846DP-T1-GE3CT SI7846DP-T1-GE3DKR