Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
DMN1032UCB4-7
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Número da pe?a NOVA:
312-2273212-DMN1032UCB4-7
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMN1032UCB4-7
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
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N-Channel 12 V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | U-WLB1010-4 | |
| Número do produto base | DMN1032 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-UFBGA, WLBGA | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 12 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 900mW (Ta) | |
| Outros nomes | DMN1032UCB4-7DIDKR DMN1032UCB4-7DICT DMN1032UCB4-7DITR |
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