Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
SPW32N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
Número da pe?a NOVA:
312-2289867-SPW32N50C3FKSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SPW32N50C3FKSA1
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
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N-Channel 560 V 32A (Tc) 284W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO247-3-1 | |
| Número do produto base | SPW32N50 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 32A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1.8mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 560 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 284W (Tc) | |
| Outros nomes | SPW32N50C3X SPW32N50C3IN-ND SPW32N50C3IN SP000014625 SPW32N50C3 SPW32N50C3-ND SPW32N50C3XK |
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