IRLR120NTRPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2264287-IRLR120NTRPBF

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRLR120NTRPBF

Embalagem padr?o:

2,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	D-Pak
Número do produto base	IRLR120
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±16V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	440 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	48W (Tc)
Outros nomes	IRLR120NPBFDKR IRLR120NPBFCT IRLR120NPBFTR SP001574026 *IRLR120NTRPBF