Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
IPN80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Número da pe?a NOVA:
312-2275537-IPN80R1K2P7ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPN80R1K2P7ATMA1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
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N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT223 | |
| Número do produto base | IPN80R1 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ P7 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 800 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 500 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 6.8W (Tc) | |
| Outros nomes | IPN80R1K2P7ATMA1DKR SP001664998 IPN80R1K2P7ATMA1-ND IPN80R1K2P7ATMA1TR IPN80R1K2P7ATMA1CT |
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