SI4427BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Número da pe?a NOVA:
312-2287992-SI4427BDY-T1-E3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI4427BDY-T1-E3
Embalagem padr?o:
2,500

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P-Channel 30 V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-SOIC
Número do produto base SI4427
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesTrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 9.7A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V
Recurso FET-
Pacote / Estojo8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)±12V
Tipo FETP-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)30 V
Dissipação de energia (máx.) 1.5W (Ta)
Outros nomesSI4427BDYT1E3
SI4427BDY-T1-E3CT
SI4427BDY-T1-E3DKR
SI4427BDY-T1-E3TR

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