SUD50N04-8M8P-4GE3

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MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252

Número da pe?a NOVA:

312-2280561-SUD50N04-8M8P-4GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SUD50N04-8M8P-4GE3

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252AA
Número do produto base	SUD50
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	14A (Ta), 50A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2400 pF @ 20 V
Dissipação de energia (máx.)	3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Outros nomes	SUD50N04-8M8P-GE3CT SUD50N04-8M8P-GE3CT-ND SUD50N04-8M8P-4GE3CT SUD50N04-8M8P-GE3TR SUD50N04-8M8P-GE3DKR-ND SUD50N048M8P4GE3 SUD50N04-8M8P-GE3TR-ND SUD50N04-8M8P-4GE3DKR SUD50N04-8M8P-GE3DKR SUD50N04-8M8P-4GE3TR