SI2319DDS-T1-GE3

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MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23

Número da pe?a NOVA:

312-2284996-SI2319DDS-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI2319DDS-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 40 V 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número do produto base	SI2319
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen III
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 20 V
Dissipação de energia (máx.)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
Outros nomes	SI2319DDS-T1-GE3TR SI2319DDS-T1-GE3CT SI2319DDS-T1-GE3DKR