GA50JT06-258

TRANS SJT 600V 100A TO258
Número da pe?a NOVA:
312-2314645-GA50JT06-258
Número da pe?a do fabricante:
GA50JT06-258
Embalagem padr?o:
10
Ficha técnica:

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- 600 V 100A (Tc) 769W (Tc) Through Hole TO-258

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteGeneSiC Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-258
Número do produto base GA50JT06
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A
Vgs(th) (Max) @ Id -
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-258-3, TO-258AA
Vgs (Máx.)-
Tipo FET-
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)600 V
Dissipação de energia (máx.) 769W (Tc)
Outros nomes1242-1253

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