SI1317DL-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323

Número da pe?a NOVA:

312-2282009-SI1317DL-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI1317DL-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 20 V 1.4A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SC-70-3
Número do produto base	SI1317
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1.4A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.5 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	SC-70, SOT-323
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	272 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	500mW (Tc)
Outros nomes	SI1317DL-T1-GE3DKR SI1317DL-T1-GE3TR SI1317DL-T1-GE3CT SI1317DL-T1-GE3-ND