IPC50N04S55R8ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33

Número da pe?a NOVA:

312-2282384-IPC50N04S55R8ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPC50N04S55R8ATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-33
Número do produto base	IPC50N04
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 13µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1090 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	42W (Tc)
Outros nomes	IPC50N04S55R8ATMA1CT 2156-IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1TR IPC50N04S55R8ATMA1DKR SP001418130 INFINFIPC50N04S55R8ATMA1