SI1062X-T1-GE3

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MOSFET N-CH 20V SC89-3

Número da pe?a NOVA:

312-2281323-SI1062X-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI1062X-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 20 V 530mA (Ta) 220mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SC-89-3
Número do produto base	SI1062
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	530mA (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.7 nC @ 8 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	SC-89, SOT-490
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	43 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	220mW (Ta)
Outros nomes	SI1062XT1GE3 SI1062X-T1-GE3TR SI1062X-T1-GE3CT SI1062X-T1-GE3DKR