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N-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SO | |
Número do produto base | IRF7832 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | HEXFET® | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 20A (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 20A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.32V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 4.5 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4310 pF @ 15 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta) | |
Outros nomes | IRF7832PBFCT IRF7832PBFDKR SP001570470 *IRF7832TRPBF IRF7832PBFTR |
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