SCTWA35N65G2VAG

SICFET N-CH 650V 45A TO247
Número da pe?a NOVA:
312-2313762-SCTWA35N65G2VAG
Número da pe?a do fabricante:
SCTWA35N65G2VAG
Embalagem padr?o:
600

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N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteSTMicroelectronics
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-247 Long Leads
Número do produto base SCTWA35
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 20 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-247-3
Vgs (Máx.)+20V, -5V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.) 208W (Tc)
Outros nomes497-SCTWA35N65G2VAG

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