FDMC5614P

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MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP

Número da pe?a NOVA:

312-2282650-FDMC5614P

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FDMC5614P

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

P-Channel 60 V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-MLP (3.3x3.3)
Número do produto base	FDMC5614
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	PowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerWDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1055 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.)	2.1W (Ta), 42W (Tc)
Outros nomes	FDMC5614PDKR FDMC5614PCT FDMC5614PTR