SUD08P06-155L-GE3

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MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252

Número da pe?a NOVA:

312-2282655-SUD08P06-155L-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SUD08P06-155L-GE3

Embalagem padr?o:

2,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 60 V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252
Número do produto base	SUD08
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8.4A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	450 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Outros nomes	SUD08P06-155L-GE3DKR SUD08P06-155L-GE3CT SUD08P06-155L-GE3TR SUD08P06-155L-GE3-ND