SI3407DV-T1-BE3

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MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP

Número da pe?a NOVA:

312-2296698-SI3407DV-T1-BE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI3407DV-T1-BE3

Embalagem padr?o:

3,000

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 20 V 7.5A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	6-TSOP
Número do produto base	SI3407
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	7.5A (Ta), 8A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Outros nomes	742-SI3407DV-T1-BE3CT 742-SI3407DV-T1-BE3TR 742-SI3407DV-T1-BE3DKR