FCP125N60E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Número da pe?a NOVA:
312-2276152-FCP125N60E
Número da pe?a do fabricante:
FCP125N60E
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:

Formato de download disponível

N-Channel 600 V 29A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteFairchild Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-220-3
Número do produto base FCP125
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesSuperFET® II
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-220-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)600 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 380 V
Dissipação de energia (máx.) 278W (Tc)
Outros nomes2156-FCP125N60E
ONSFSCFCP125N60E

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