IRFH6200TRPBF

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MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN

Número da pe?a NOVA:

312-2291149-IRFH6200TRPBF

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRFH6200TRPBF

Embalagem padr?o:

4,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-PQFN (5x6)
Número do produto base	IRFH6200
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	49A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 150µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	230 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10890 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Outros nomes	IRFH6200TRPBF-ND IRFH6200TRPBFTR SP001575628 IRFH6200TRPBFCT IRFH6200TRPBFDKR