SI3460BDV-T1-E3

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MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

Número da pe?a NOVA:

312-2265039-SI3460BDV-T1-E3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI3460BDV-T1-E3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	6-TSOP
Número do produto base	SI3460
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 8 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	860 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	2W (Ta), 3.5W (Tc)
Outros nomes	SI3460BDVT1E3 SI3460BDV-T1-E3CT SI3460BDV-T1-E3TR SI3460BDV-T1-E3DKR