G12P03D3

P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Número da pe?a NOVA:
312-2315976-G12P03D3
Número da pe?a do fabricante:
G12P03D3
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:

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P-Channel 30 V 12A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteGoford Semiconductor
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-DFN (3.15x3.05)
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.5 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / Estojo8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETP-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1253 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.) 3W (Tc)
Outros nomes3141-G12P03D3CT
3141-G12P03D3TR

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