BSC009NE2LSATMA1

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MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON

Número da pe?a NOVA:

312-2281799-BSC009NE2LSATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSC009NE2LSATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-7
Número do produto base	BSC009
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	41A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	126 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	25 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5800 pF @ 12 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Outros nomes	BSC009NE2LSATMA1DKR BSC009NE2LSCT-ND BSC009NE2LS-ND BSC009NE2LSATMA1TR BSC009NE2LSATMA1CT BSC009NE2LS SP000893362 BSC009NE2LSCT BSC009NE2LSDKR BSC009NE2LSDKR-ND BSC009NE2LSTR-ND