IPD530N15N3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

Número da pe?a NOVA:

312-2288175-IPD530N15N3GATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPD530N15N3GATMA1

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3
Número do produto base	IPD530
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	21A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	53mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 35µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	150 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	887 pF @ 75 V
Dissipação de energia (máx.)	68W (Tc)
Outros nomes	IPD530N15N3GATMA1DKR IPD530N15N3GATMA1CT SP001127830 IPD530N15N3GATMA1TR