Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
IXTA3N100D2
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Número da pe?a NOVA:
312-2283582-IXTA3N100D2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTA3N100D2
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
Formato de download disponível
Por favor, preencha suas informa??es no formulário e entraremos em contato o mais breve possível e forneceremos o modelo cad.
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263AA | |
| Número do produto base | IXTA3 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Depletion | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5Ohm @ 1.5A, 0V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | Depletion Mode | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) | |
| Outros nomes | 623496 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IXTA6N50D2IXYS
IXTP3N50D2IXYS- IXTA1R6N100D2IXYS
