SIS176LDN-T1-GE3

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N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

Número da pe?a NOVA:

312-2285550-SIS176LDN-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIS176LDN-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	70 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1660 pF @ 35 V
Dissipação de energia (máx.)	3.6W (Ta), 39W (Tc)
Outros nomes	742-SIS176LDN-T1-GE3TR 742-SIS176LDN-T1-GE3DKR 742-SIS176LDN-T1-GE3CT