BSZ120P03NS3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON

Número da pe?a NOVA:

312-2282215-BSZ120P03NS3GATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSZ120P03NS3GATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TSDSON-8
Número do produto base	BSZ120
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	11A (Ta), 40A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.1V @ 73µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±25V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3360 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	2.1W (Ta), 52W (Tc)
Outros nomes	BSZ120P03NS3GATMA1CT BSZ120P03NS3 G-ND BSZ120P03NS3GATMA1TR SP000709736 BSZ120P03NS3 G BSZ120P03NS3GATMA1DKR