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P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | USM | |
Número do produto base | SSM3J15 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | π-MOSVI | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 100µA | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | SC-70, SOT-323 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1 pF @ 3 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 150mW (Ta) | |
Outros nomes | SSM3J15FULFTR SSM3J15FU,LF(T SSM3J15FU,LF(B SSM3J15FULFCT SSM3J15FULFDKR |
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