Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
UF3C120080K4S
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Número da pe?a NOVA:
312-2264826-UF3C120080K4S
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
UF3C120080K4S
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
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N-Channel 1200 V 33A (Tc) 254.2W (Tc) Through Hole TO-247-4
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | UnitedSiC | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-4 | |
| Número do produto base | UF3C120080 | |
| Tecnologia | SiCFET (Cascode SiCJFET) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 33A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 12V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 12V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 12 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-4 | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 254.2W (Tc) | |
| Outros nomes | 2312-UF3C120080K4S |
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