SI2301BDS-T1-E3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Número da pe?a NOVA:

312-2281869-SI2301BDS-T1-E3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI2301BDS-T1-E3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número do produto base	SI2301
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	375 pF @ 6 V
Dissipação de energia (máx.)	700mW (Ta)
Outros nomes	SI2301BDS-T1-E3DKR SI2301BDS-T1-E3CT SI2301BDS-T1-E3TR SI2301BDST1E3