IRLML6302TRPBF

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MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23

Número da pe?a NOVA:

312-2281997-IRLML6302TRPBF

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRLML6302TRPBF

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

P-Channel 20 V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	Micro3™/SOT-23
Número do produto base	IRLML6302
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	780mA (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.6 nC @ 4.45 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	97 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	540mW (Ta)
Outros nomes	IRLML6302GTRPBF SP001574060 IRLML6302PBFDKR *IRLML6302TRPBF IRLML6302GTRPBFCT IRLML6302GTRPBFTR IRLML6302GTRPBFTR-ND IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302PBFTR SP001550492 IRLML6302GTRPBFCT-ND IRLML6302PBFCT