SQJ140EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 266A PPAK SO-8
Número da pe?a NOVA:
312-2272431-SQJ140EP-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQJ140EP-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000

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N-Channel 40 V 266A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® SO-8
Número do produto base SQJ140
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 266A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoPowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3855 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 263W (Tc)
Outros nomes742-SQJ140EP-T1_GE3DKR
742-SQJ140EP-T1_GE3CT
742-SQJ140EP-T1_GE3TR

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