TSM650P02CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Número da pe?a NOVA:
312-2285542-TSM650P02CX RFG
Número da pe?a do fabricante:
TSM650P02CX RFG
Embalagem padr?o:
3,000

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P-Channel 20 V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteTaiwan Semiconductor Corporation
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor SOT-23
Número do produto base TSM650
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.1 nC @ 4.5 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)±10V
Tipo FETP-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 515 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.) 1.56W (Tc)
Outros nomesTSM650P02CX RFGCT
TSM650P02CXRFGCT
TSM650P02CX RFGDKR
TSM650P02CXRFGTR
TSM650P02CXRFGDKR
TSM650P02CX RFGCT-ND
TSM650P02CX RFGDKR-ND
TSM650P02CX RFGTR
TSM650P02CX RFGTR-ND

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