Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
IRFH5110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2288141-IRFH5110TRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRFH5110TRPBF
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
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N-Channel 100 V 11A (Ta), 63A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-PQFN (5x6) | |
| Número do produto base | IRFH5110 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 63A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 37A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3152 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) | |
| Outros nomes | 448-IRFH5110TRPBFTR 448-IRFH5110TRPBFCT 448-IRFH5110TRPBFDKR IRFH5110TRPBF-ND SP001560340 |
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